黄仁勋拜访矽品精细，泄漏英伟达 Blackwell 芯片封装将由 CoWoS

IT之家 1 月 17 日新闻，英伟达 CEO 黄仁勋克日缺席了中国年夜海洋辨别公司的年会，网传原打算前去北京、上海等地停止拜访，但已变动行程前去台中。据台媒经济日报 1 月 16 日报道，黄仁勋缺席了其供给商矽品精细的新工场开幕典礼，在运动中黄仁勋表现：“英伟达端庄历封装技巧的迁徙，由此前的 CoWoS-S 技巧逐渐转换为更新的 CoWoS-L 技巧，这现实大将须要增添 CoWoS-L 产能。”▲ 图源台媒“中心社”IT之家留神到，早在 1 月 13 日，野村证券剖析师郑明宗就已指出英伟达将会增加至多 80% 的采取台积电进步封装的 CoWoS-S 订单，天风证券剖析师郭明錤于 1 月 15 日同样指出因为英伟达 Hopper 架构芯片停产，2025 年 CoWoS-S 的需要将明显增加。因而英伟达 CEO 黄仁勋的谈话更是进一步证明了该传言的可托度。IT之家注：台积电将 CoWoS 封装技巧分别为三品种型，分辨为 CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L。CoWoS-S 采取单片硅中介层跟硅通孔（TSVs）以实现晶片（Die）与基板之间的高速电旌旗灯号直接传输，该技巧的传输效力较高，然而存在良率成绩，因而制作本钱较高。CoWoS-R 采取 RDL 无机中介层取代了 CoWoS-S 的硅中介层，因为 RDL 中介层自身的资料特征，因而良率成绩得以处理，然而传输效力较之 CoWoS-S 有所降落，胜在制作本钱较低跟机动性好，因而合适年夜范围应用。CoWoS-L 则采取部分硅互连（LSI）跟 RDL 无机中介层，综合了 CoWoS-S 跟 CoWoS-R 的长处，因而统筹了机能与本钱，英伟达 Blackwell 芯片行将采取该技巧以取代本钱昂扬的 CoWoS-S 封装。