Fudan团队将开发“黎明” Picsecond闪存

该报纸（实习生Zhang Feiya）在人工智能期间，最新的存储速度限制是多少？ 4月16日晚上，北京的时代，福丹大学的周彭和刘·春森团队在“自然”中发表了最新结果。 10年开发的团队花费的“ Pox” Picsecond闪存设备具有擦除速度sub-1纳秒（400 picseconds）。这是人们掌握的最快的半导体电荷存储设备，它重新定义了现有存储技术的边界。 “这相当于眼睛的闪烁。超级闪光灯的记忆工作了10亿次，这意味着在12厘米的光线内，已经存储了数千个电子。”周彭说。文明的飞跃将不可避免地产生大量数据。从打结的记录到古代箭弹到当今电子存储的先进技术，以信息存储的速度追求人们的追求并没有停止。目前，记忆最快s更改内存。尽管它们很快，但数据在电流量后仍会消失，因此很难应用于低功率方案。相比之下，以闪存表示的非易失性内存具有非常低的功耗，但它不满足对超速数据访问的AI计算的需求。破坏僵局的方法在于一个主要的科学问题：信息访问的非易失性访问速度。自2015年以来，周彭（Zhou Peng）和刘·春森（Liu Chunsen）团队已开始尝试使用二维材料来产生闪光灯，以提高其Imbakan和访问速度。现在，十年后，他们给出了超过限制的“破裂” Picsecond闪存设备的答案。通过原始理论框架的突破，该团队建立了一个准二维高斯模型和理论预测的超注射现象，这是“ Dawnbreak” Picsecond闪存设备的理论基础。什么是超级注射的特殊信息？它破坏了注射传统注射法的严重点，并意识到无尽的注射。 “举例来说，爬楼梯以脚走路，并且由于一般的身体强度而受到速度限制，因为过量的注射苍蝇在火箭之上。没有限制，因此速度会增加。”刘·康森（Liu Chunsen）解释说。作为最有效的和广泛使用的内存，闪存一直是国际技术技术布局的基础。 “黎明” Picsecond闪存设备生成的团队触摸了信息的信息速度限制，这有助于AI模型以非常快速的速度运行。二维超级注射机制还将非易失性存储速度提高到了理论上限。预计高速非易失性闪存技术将改变全球存储技术，促进工业升级并产生新的应用情况，并为我的国家提供强有力的支持o在相关领域中实现技术领导。